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英特尔新技术:固态硬盘容量提升3倍至10TB

时间:2015-04-05 22:56来源:未知 作者:王铭亮

由于用户有大量照片、视频、应用和音频需要存储,智能手机的存储空间总是不够用。考虑到这一问题,英特尔在研究在不影响设备尺寸和价格的情况下,提升移动设备和PC存储容量的新技术。

 

英特尔新技术:固态硬盘容量提升3倍至10TB

 

据PCWorld网站报道,英特尔正在研究的一项技术是,在1个存储单元中存储更多比特的信息,把移动设备和PC的存储容量增加3倍。英特尔正在尝试在一个存储单元中存储4比特信息。

英特尔非挥发存储解决方案部门战略规划和营销副总裁李仁基(Bill Leszinske)在一封电子邮件中说,“这可能促使大量移动和计算设备使用存储密度更高的存储设备。”

用户对存储容量的需求是无止境的。应用和操作系统越来越大,4K视频即将成为主流,传感器和其他数据源生成的数据在不断增多。因此,移动设备和PC厂商在不断试图提高设备中闪存盘和固态硬盘的存储容量。

通过在1个存储单元中存储4比特信息——英特尔称之为QLC的技术,标准2.5英寸固态硬盘的存储容量可以增长至逾10TB。PCWorld表示,英特尔称QLC仍然处于研发阶段,没有披露推出采用QLC技术的闪存芯片的时间表。

与传统硬盘相比,固态硬盘数据传输速度更快,能耗更低,但目前固态硬盘的容量最高约为4TB。闪迪计划销售存储容量为8TB的固态硬盘——与希捷最高容量的硬盘相当。英特尔曾表示,利用上周与美光公布的新型TLC闪存芯片,该公司将能把固态硬盘存储容量提高至10TB。

市场研究公司Objective Analysis分析师吉姆·汉迪(Jim Handy)指出,未来10年,闪存可能被新兴的存储技术所取代,例如MRAM (磁阻内存)、PCM(相变内存)和RRAM(阻变式内存)。

英特尔在一个存储单元中存储4比特信息的能力,依赖于它通过其最新的3D NAND制造技术缩小闪存芯片尺寸的能力。这一技术允许存储单元像摩天大楼那样垂直叠加,提供更高的存储容量。

大多数固态硬盘都采用SLC(每个存储单元存储1比特信息)或MLC(每个存储单元存储2比特信息)闪存芯片。在1个存储单元中存储3比特信息就已经是一个足够大的挑战了,汉迪对在1个存储单元中存储4比特信息持怀疑态度,称这一技术可能会造成固态硬盘出现更多数据读写错误。

每次在一个存储单元中增加1比特信息,干扰就会增加一分,识别存储单元中数据的难度也会提高。

这并非一家公司首次尝试在1个存储单元中存储4比特信息。近10年前,M-Systems曾进行相同的尝试,可惜没有成功。M-Systems于2006年被闪迪收购。

另外,受成本影响,在1个存储单元存储4比特信息的意义并不大。据汉迪估计,在1个存储单元存储2比特信息,可能把闪存芯片成本削减一半;在1个存储单元存储3比特信息,可以把闪存芯片成本削减30%;如果把4比特信息“塞进”1个存储单元,闪存芯片成本降幅会收窄至15%。

但李仁基仍然对英特尔在QLC技术方面的机会持谨慎乐观态度,称英特尔的3D NAND技术能使QLC成为“一个真正的机会”。

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